變壓器介質(zhì)損耗測(cè)試儀

儀器采用復(fù)數(shù)電流法，測(cè)量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測(cè)試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量； 儀器采用了變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)； 儀器采用大屏幕液晶顯示器，測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作； 儀器操作簡(jiǎn)便，測(cè)量過(guò)程由微處理器控制，只要選擇好合適的測(cè)量方式，數(shù)據(jù)的測(cè)量就可在微處理器控制下自動(dòng)完成； 一體化機(jī)型，內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，減少現(xiàn)場(chǎng)接線。

注意事項(xiàng)
1、儀器必須可靠接地，否則儀器報(bào)警，不進(jìn)入主菜單。
2、從儀器上取放油杯前，一定要關(guān)閉電源。
3、油杯裝好后，先檢測(cè)空杯，電容值應(yīng)為60±2pF，介損小于0.005%；若電容值大于62時(shí)，應(yīng)重新安裝，介損不合格時(shí)，應(yīng)重新清洗油杯。
4、由于新油杯可能有灰塵或布屑，所以新油杯裝好后，要用試樣油清洗三次（加入試樣油，上下左右轉(zhuǎn)動(dòng)內(nèi)電極，然后倒掉），加熱后清洗效果更好。

變壓器介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：

1儀器采用復(fù)數(shù)電流法，測(cè)量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測(cè)試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量。

2、儀器采用了變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。

3、儀器采用大屏幕液晶顯示器，測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作。

4、儀器操作簡(jiǎn)便，測(cè)量過(guò)程由微處理器控制，只要選擇好合適的測(cè)量方式，數(shù)據(jù)的測(cè)量就可在微處理器控制下自動(dòng)完成。

5、一體化機(jī)型，內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，減少現(xiàn)場(chǎng)接線。

6、儀器測(cè)量準(zhǔn)確度高，可滿足油介損測(cè)量要求，因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯，和測(cè)試線即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量。

7、設(shè)CVT測(cè)試功能，可實(shí)現(xiàn)CVT的自激法測(cè)試，無(wú)需外置附件，只需一次測(cè)量，C1,C2的電容和介損全部測(cè)出。

8、反接線測(cè)試采用ivddv技術(shù),消除了以往反接線數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

9、具有反接線低壓屏蔽功能，在220kV CVT 母線接地情況下，對(duì)C11 可進(jìn)行不拆線10kV 反接線介損測(cè)量

10、具有測(cè)量高電壓介損功能，能夠使用高壓變壓器或串聯(lián)諧振進(jìn)行超過(guò)10kV電壓的介損試驗(yàn)。

12、接地保護(hù)功能，當(dāng)儀器不接地線或接地不良時(shí)，儀器不進(jìn)入正常程序，不輸出高壓。過(guò)流保護(hù)功能，在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。

13、觸電保護(hù)功能，當(dāng)儀器操作人員不小心觸電時(shí)候，儀器會(huì)立即切斷高壓，保障試驗(yàn)人員的安全.

主要技術(shù)指標(biāo)
      1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照）         
      2、相對(duì)濕度：30% ～ 70% 
      3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz 
      4、外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高   500mm×300mm×400mm 
      5、重量：    約18Kg           
      6、輸出功率：0.6KVA 
      7、顯示分辯率：3位、4位（內(nèi)部全是6位） 
      8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999% 
                 試品電容容量（Cx）和加載電壓： 
                 2.5KV檔:≤300nF（300000pF）            3KV檔:≤200nF（200000pF） 
                 5KV檔:≤76nF（76000pF）                7.5KV檔:≤34nF（34000pF） 
                 10KV檔:≤20nF（20000pF） 
      9、基本測(cè)量誤差： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個(gè)字（加載電流20uA～500mA） 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個(gè)字（加載電流5uA～20uA） 
                 電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF